SI5509DC-T1-E3
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| Numero di parte | SI5509DC-T1-E3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI5509DC-T1-E3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 6.1A 1206-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4146 pcs | Scheda dati | SI5509DC |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 52 mOhm @ 5A, 4.5V | Potenza - Max | 4.5W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi | SI5509DC-T1-E3TR SI5509DCT1E3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 455pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.6nC @ 5V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6.1A, 4.8A 4.5W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6.1A, 4.8A |
| Numero di parte base | SI5509 |
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- Parte#:
MTLW-125-07-G-D-115 - Produttori:
Samtec, Inc. - Descrizione:
MODIFIED LOW PROFILE TERMINAL - Disponibile:
12059