SI5504BDC-T1-GE3
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| Numero di parte | SI5504BDC-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.166 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | SI5504BDC-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 124721 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 65 mOhm @ 3.1A, 10V | Potenza - Max | 3.12W, 3.1W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi | SI5504BDC-T1-GE3TR SI5504BDCT1GE3 |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 33 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 220pF @ 15V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V |
| Tipo FET | N and P-Channel | Caratteristica FET | Logic Level Gate |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.7A 3.12W, 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A, 3.7A | Numero di parte base | SI5504 |
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