SI5511DC-T1-GE3
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| Numero di parte | SI5511DC-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI5511DC-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5857 pcs | Scheda dati | SI5511DC |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | 1206-8 ChipFET™ | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 55 mOhm @ 4.8A, 4.5V | Potenza - Max | 3.1W, 2.6W |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SMD, Flat Lead |
| Altri nomi | SI5511DC-T1-GE3TR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 435pF @ 15V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7.1nC @ 5V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Logic Level Gate | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 30V 4A, 3.6A 3.1W, 2.6W Surface Mount 1206-8 ChipFET™ | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 4A, 3.6A |
| Numero di parte base | SI5511 |
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