SI5519DU-T1-GE3
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| Numero di parte | SI5519DU-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI5519DU-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N/P-CH 20V 6A CHIPFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5590 pcs | Scheda dati | SI5519DU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.8V @ 250µA |
| Contenitore dispositivo fornitore | PowerPAK® ChipFet Dual | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 36 mOhm @ 6.1A, 4.5V | Potenza - Max | 10.4W |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | PowerPAK® ChipFET™ Dual |
| Altri nomi | SI5519DU-T1-GE3DKR | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 660pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 17.5nC @ 10V | Tipo FET | N and P-Channel |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array N and P-Channel 20V 6A 10.4W Surface Mount PowerPAK® ChipFet Dual | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A |
| Numero di parte base | SI5519 |
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- Parte#:
811-22-038-30-005101 - Produttori:
Mill-Max - Descrizione:
CONN SPRING CONT 38 POS .256 SMD - Disponibile:
5936