SI5486DU-T1-GE3
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| Numero di parte | SI5486DU-T1-GE3 |
|---|---|
| fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.516 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SI5486DU-T1-GE3 | fabbricante | Electro-Films (EFI) / Vishay |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 12A PPAK CHIPFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 62780 pcs | Scheda dati | SI5486DU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) | Serie | TrenchFET® |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 15 mOhm @ 7.7A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 3.1W (Ta), 31W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | SI5486DU-T1-GE3CT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 54nC @ 8V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 12A (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-PowerPak® ChipFet (3x1.9) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 12A (Tc) |
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