TPN2R805PL,L1Q
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| Numero di parte | TPN2R805PL,L1Q |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.159 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPN2R805PL,L1Q | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 136523 pcs | Scheda dati | TPN2R805PL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 300µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | Serie | U-MOSIX-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.8 mOhm @ 40A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 2.67W (Ta), 104W (Tc) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN | Altri nomi | TPN2R805PLL1Q |
| temperatura di esercizio | 175°C | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3.2nF @ 22.5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 39nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 45V | Descrizione dettagliata | N-Channel 45V 139A (Ta), 80A (Tc) 2.67W (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 139A (Ta), 80A (Tc) |
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