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TPN6R003NL,LQ

TPN6R003NL,LQ
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Numero di parte TPN6R003NL,LQ
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 139119 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte TPN6R003NL,LQ fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N CH 30V 27A 8TSON-ADV Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 139119 pcs Scheda dati TPN6R003NL
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 200µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-TSON Advance (3.3x3.3) Serie U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs 6 mOhm @ 13.5A, 10V Dissipazione di potenza (max) 700mW (Ta), 32W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
Altri nomi TPN6R003NL,LQ(S
TPN6R003NLLQTR		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1400pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 27A (Tc) 700mW (Ta), 32W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 27A (Tc)

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