TPN2010FNH,L1Q
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| Numero di parte | TPN2010FNH,L1Q |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.691 | $0.611 | $0.482 | $0.374 | $0.295 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPN2010FNH,L1Q | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 250V 5.6A 8TSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 68128 pcs | Scheda dati | TPN2010FNH |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 200µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | Serie | U-MOSVIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 198 mOhm @ 2.8A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 39W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | TPN2010FNHL1QCT | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 600pF @ 100V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 7nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 250V | Descrizione dettagliata | N-Channel 250V 5.6A (Ta) 700mW (Ta), 39W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 5.6A (Ta) |
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