TPN2R304PL,L1Q
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| Numero di parte | TPN2R304PL,L1Q |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 80A TSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.34 | $0.299 | $0.23 | $0.171 | $0.137 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPN2R304PL,L1Q | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 80A TSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 159376 pcs | Scheda dati | TPN2R304PL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 0.3mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | Serie | U-MOSIX-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.3 mOhm @ 40A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 630mW (Ta), 104W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | TPN2R304PLL1QCT | temperatura di esercizio | 175°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3600pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 41nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V | Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 80A (Tc) 630mW (Ta), 104W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 80A (Tc) |
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