TPN11006NL,LQ
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| Numero di parte | TPN11006NL,LQ |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.363 | $0.319 | $0.246 | $0.182 | $0.146 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPN11006NL,LQ | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 60V 17A 8TSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 164517 pcs | Scheda dati | TPN11006NL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.5V @ 200µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | Serie | U-MOSVIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 11.4 mOhm @ 8.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | TPN11006NLLQDKR | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2000pF @ 30V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 23nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 60V | Descrizione dettagliata | N-Channel 60V 17A (Tc) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 17A (Tc) |
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