TPH2R608NH,L1Q
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| Numero di parte | TPH2R608NH,L1Q |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 75V 150A SOP8 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.70 | $0.62 | $0.49 | $0.38 | $0.30 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPH2R608NH,L1Q | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 75V 150A SOP8 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 71784 pcs | Scheda dati | TPH2R608NH |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP Advance (5x5) | Serie | U-MOSVIII-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 50A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 142W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | TPH2R608NHL1QCT | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 6000pF @ 37.5V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 72nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 75V | Descrizione dettagliata | N-Channel 75V 150A (Tc) 142W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 150A (Tc) |
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