TPH3206LDB
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| Numero di parte | TPH3206LDB |
|---|---|
| fabbricante | Transphorm |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 16A PQFN |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 60 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.905 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPH3206LDB | fabbricante | Transphorm |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 16A PQFN | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 9057 pcs | Scheda dati | TPH3206L Series |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.6V @ 500µA |
| Vgs (Max) | ±18V | Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore | PQFN (8x8) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 180 mOhm @ 10A, 8V | Dissipazione di potenza (max) | 81W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | 4-PowerDFN |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 720pF @ 480V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 6.2nC @ 4.5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 8V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 16A (Tc) 81W (Tc) Surface Mount PQFN (8x8) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 16A (Tc) |
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- Parte#:
ESQ-116-58-S-T-LL - Produttori:
Samtec, Inc. - Descrizione:
ELEVATED SOCKET STRIPS - Disponibile:
8656