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TPH1R403NL,L1Q

TPH1R403NL,L1Q
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Numero di parte TPH1R403NL,L1Q
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 90641 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte TPH1R403NL,L1Q fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CH 30V 60A 8-SOP Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 90641 pcs Scheda dati TPH1R403NL
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 500µA
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOP Advance (5x5) Serie U-MOSVIII-H
Rds On (max) a Id, Vgs 1.4 mOhm @ 30A, 10V Dissipazione di potenza (max) 1.6W (Ta), 64W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro 8-PowerVDFN
Altri nomi TPH1R403NL,L1Q(M
TPH1R403NL,L1QTR
TPH1R403NL,L1QTR-ND
TPH1R403NLL1QTR		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4400pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 46nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 30V Descrizione dettagliata N-Channel 30V 60A (Ta) 1.6W (Ta), 64W (Tc) Surface Mount 8-SOP Advance (5x5)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Ta)

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