TPH3205WSB
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| Numero di parte | TPH3205WSB |
|---|---|
| fabbricante | Transphorm |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 36A TO247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 25 pcs | 180 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $9.387 | $8.683 | $7.979 | $7.415 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPH3205WSB | fabbricante | Transphorm |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 36A TO247 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4247 pcs | Scheda dati | TPH3205WSB |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.6V @ 700µA |
| Vgs (Max) | ±18V | Tecnologia | GaNFET (Gallium Nitride) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 60 mOhm @ 22A, 8V | Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) | Tipo montaggio | Through Hole |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 2200pF @ 400V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 42nC @ 8V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 8V | Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 36A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
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