TPCC8093,L1Q
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| Numero di parte | TPCC8093,L1Q |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 5000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.085 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPCC8093,L1Q | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | X35 PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 238034 pcs | Scheda dati | TPCC8093 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.2V @ 500µA |
| Vgs (Max) | ±12V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | Serie | U-MOSVII |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 5.8 mOhm @ 10.5A, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 1.9W (Ta), 30W (Tc) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN | Altri nomi | TPCC8093L1Q |
| temperatura di esercizio | 150°C | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1860pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 16nC @ 5V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 21A (Ta) 1.9W (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 21A (Ta) |
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