TPCC8103(TE12L,QM)
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| Numero di parte | TPCC8103(TE12L,QM) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.501 | $0.443 | $0.35 | $0.272 | $0.214 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPCC8103(TE12L,QM) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 18A 8TSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 106818 pcs | Scheda dati | TPCC8103Mosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) | Serie | U-MOSV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 12 mOhm @ 9A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 700mW (Ta), 27W (Tc) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN |
| Altri nomi | TPCC8103(TE12LQM)CT | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1600pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 38nC @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 18A (Ta) 700mW (Ta), 27W (Tc) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 18A (Ta) |
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