TPCC8009,LQ(O
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| Numero di parte | TPCC8009,LQ(O |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPCC8009,LQ(O | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON-ADV | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5000 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3V @ 200µA |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) | Contenitore dispositivo fornitore | 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Serie | U-MOSIV | Rds On (max) a Id, Vgs | 7 mOhm @ 12A, 10V |
| Dissipazione di potenza (max) | - | imballaggio | Tape & Reel (TR) |
| Contenitore / involucro | 8-PowerVDFN | Altri nomi | TPCC8009LQ(O TPCC8009LQO |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1270pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | N-Channel 30V 24A (Ta) Surface Mount 8-TSON Advance (3.3x3.3) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Ta) |
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