TPCC8002-H(TE12L,Q
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| Numero di parte | TPCC8002-H(TE12L,Q |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.034 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPCC8002-H(TE12L,Q | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 653733 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod GuideTPCC8002-H |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 2500pF @ 10V |
| Tensione - Ripartizione | 8-TSON | Vgs (th) (max) a Id | 8.3 mOhm @ 11A, 10V |
| Vgs (Max) | 4.5V, 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | U-MOSV-H | Stato RoHS | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 22A (Ta) | Polarizzazione | 8-VDFN Exposed Pad |
| Altri nomi | TPCC8002HTE12LQ | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| codice articolo del costruttore | TPCC8002-H(TE12L,Q | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27nC @ 10V |
| Tipo IGBT | ±20V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 2.5V @ 1mA |
| Caratteristica FET | N-Channel | Descrizione espansione | N-Channel 30V 22A (Ta) 700mW (Ta), 30W (Tc) Surface Mount 8-TSON |
| Tensione drain-source (Vdss) | - | Descrizione | MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 30V | rapporto di capacità | 700mW (Ta), 30W (Tc) |
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