TPC8022-H(TE12LQ,M
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| Numero di parte | TPC8022-H(TE12LQ,M |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TPC8022-H(TE12LQ,M | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 40V 7.5A SOP8 2-6J1B | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4700 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod GuideTPC8022-H |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | 8-SOP (5.5x6.0) | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 27 mOhm @ 3.8A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 1W (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 8-SOIC (0.173", 4.40mm Width) |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 650pF @ 10V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 40V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 7.5A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0) | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 7.5A (Ta) |
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