TK3R1P04PL,RQ
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| Numero di parte | TK3R1P04PL,RQ |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 2500 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.218 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK3R1P04PL,RQ | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CHANNEL 40V 58A DPAK | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 90027 pcs | Scheda dati | TK3R1P04PL |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.4V @ 500µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | DPAK | Serie | U-MOSIX-H |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 3.1 mOhm @ 29A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 87W (Tc) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Altri nomi | TK3R1P04PL,RQ(S2 TK3R1P04PL,RQTR TK3R1P04PLRQ TK3R1P04PLRQ(S2 TK3R1P04PLRQTR |
temperatura di esercizio | 175°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4670pF @ 20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 60nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 40V | Descrizione dettagliata | N-Channel 40V 58A (Tc) 87W (Tc) Surface Mount DPAK |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 58A (Tc) |
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