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TK380P65Y,RQ

TK380P65Y,RQ
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Numero di parte TK380P65Y,RQ
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 99781 pcs
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Numero di parte TK380P65Y,RQ fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET N-CHANNEL 650V 9.7A DPAK Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 99781 pcs Scheda dati TK380P65Y
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 360µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore DPAK Serie DTMOSV
Rds On (max) a Id, Vgs 380 mOhm @ 4.9A, 10V Dissipazione di potenza (max) 80W (Tc)
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Altri nomi TK380P65Y,RQ(S
TK380P65YRQ(S
TK380P65YRQTR
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 590pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650V Descrizione dettagliata N-Channel 650V 9.7A (Tc) 80W (Tc) Surface Mount DPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 9.7A (Tc)

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