TK35N65W5,S1F
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| Numero di parte | TK35N65W5,S1F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 30 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $3.11 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK35N65W5,S1F | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 35A TO-247 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 10058 pcs | Scheda dati | TK35N65W5 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 2.1mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 | Serie | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 95 mOhm @ 17.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 270W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | TK35N65W5,S1F(S TK35N65W5,S1F-ND TK35N65W5S1F |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 115nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 35A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 35A (Ta) |
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