TK39J60W,S1VQ
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| Numero di parte | TK39J60W,S1VQ |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 25 pcs | 100 pcs | 500 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.021 | $3.298 | $2.976 | $2.494 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK39J60W,S1VQ | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 38.8A TO-3P | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 14232 pcs | Scheda dati | TK39J60W |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 3.7V @ 1.9mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-3P(N) | Serie | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 65 mOhm @ 19.4A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 270W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Altri nomi | TK39J60W,S1VQ(O TK39J60WS1VQ |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 110nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | Super Junction | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 38.8A (Ta) 270W (Tc) Through Hole TO-3P(N) |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 38.8A (Ta) |
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