TK1K2A60F,S4X
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| Numero di parte | TK1K2A60F,S4X |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 50 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.437 | $0.351 | $0.307 | $0.238 | $0.188 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK1K2A60F,S4X | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 114453 pcs | Scheda dati | TK1K2A60F |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 630µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220SIS | Serie | U-MOSIX |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.2 Ohm @ 3A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 35W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi | TK1K2A60F,S4X(S TK1K2A60FS4X TK1K2A60FS4X(S |
temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | Not Applicable |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 740pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 21nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 6A (Ta) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 6A (Ta) |
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