TK17A80W,S4X
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| Numero di parte | TK17A80W,S4X |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 50 pcs | 100 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $1.481 | $1.321 | $1.189 | $1.083 | ||
| 250 pcs | 500 pcs | 1000 pcs | 2500 pcs | ||
| $0.978 | $0.877 | $0.74 | $0.703 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK17A80W,S4X | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 53400 pcs | Scheda dati | TK17A80W |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - Prova | 2050pF @ 300V |
| Tensione - Ripartizione | TO-220SIS | Vgs (th) (max) a Id | 290 mOhm @ 8.5A, 10V |
| Vgs (Max) | 10V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie | DTMOSIV | Stato RoHS | Tube |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 17A (Ta) | Polarizzazione | TO-220-3 Full Pack |
| Altri nomi | TK17A80W,S4X(S TK17A80WS4X |
temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo montaggio | Through Hole | Livello di sensibilità umidità (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 12 Weeks | codice articolo del costruttore | TK17A80W,S4X |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 32nC @ 10V | Tipo IGBT | ±20V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 4V @ 850µA | Caratteristica FET | N-Channel |
| Descrizione espansione | N-Channel 800V 17A (Ta) 45W (Tc) Through Hole TO-220SIS | Tensione drain-source (Vdss) | - |
| Descrizione | MOSFET N-CH 800V 17A TO220-3 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 800V |
| rapporto di capacità | 45W (Tc) |
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