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TK1K9A60F,S4X

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Numero di parte TK1K9A60F,S4X
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO-
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 124814 pcs
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Numero di parte TK1K9A60F,S4X fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR TO- Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 124814 pcs Scheda dati TK1K9A60F
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 4V @ 400µA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220SIS Serie U-MOSIX
Rds On (max) a Id, Vgs 1.9 Ohm @ 1.9A, 10V Dissipazione di potenza (max) 30W (Tc)
imballaggio Tube Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack
Altri nomi TK1K9A60F,S4X(S
TK1K9A60FS4X
TK1K9A60FS4X(S		 temperatura di esercizio 150°C
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) Not Applicable
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 490pF @ 300V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V Tipo FET N-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Tensione drain-source (Vdss) 600V Descrizione dettagliata N-Channel 600V 3.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A (Ta)

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