TK16E60W5,S1VX
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| Numero di parte | TK16E60W5,S1VX |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | TK16E60W5,S1VX | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 15.8A TO-220AB | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5274 pcs | Scheda dati | TK16E60W5 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4.5V @ 790µA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-220 | Serie | DTMOSIV |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 230 mOhm @ 7.9A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 130W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-220-3 |
| Altri nomi | TK16E60W5,S1VX(S TK16E60W5S1VX |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1350pF @ 300V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 600V | Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 15.8A (Ta) 130W (Tc) Through Hole TO-220 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 15.8A (Ta) |
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