SSM3J56MFV,L3F
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| Numero di parte | SSM3J56MFV,L3F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.03 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM3J56MFV,L3F | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 0.8A VESM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 828692 pcs | Scheda dati | SSM3J56MFV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | VESM | Serie | U-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 390 mOhm @ 800mA, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 150mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-723 |
| Altri nomi | SSM3J56MFV,L3F(B SSM3J56MFV,L3F(T SSM3J56MFVL3F(TTR SSM3J56MFVL3F(TTR-ND SSM3J56MFVL3FT SSM3J56MFVL3FTR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 100pF @ 10V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.2V, 4.5V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 800mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 800mA (Ta) |
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