SSM3J36MFV,L3F
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| Numero di parte | SSM3J36MFV,L3F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM3J36MFV,L3F | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 0.33A VESM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5823 pcs | Scheda dati | SSM3J36MFV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | VESM | Serie | U-MOSIII |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.31 Ohm @ 100mA, 4.5V | Dissipazione di potenza (max) | 150mW (Ta) |
| imballaggio | Original-Reel® | Contenitore / involucro | SOT-723 |
| Altri nomi | SSM3J36MFV(TL3T)DKR SSM3J36MFV(TL3T)DKR-ND SSM3J36MFVL3FDKR |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 43pF @ 10V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1.2nC @ 4V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 330mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount VESM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 330mA (Ta) |
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