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SSM3J358R,LF

SSM3J358R,LF
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Numero di parte SSM3J358R,LF
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 467019 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte SSM3J358R,LF fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione SMALL LOW ON RESISTANCE MOSFET Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 467019 pcs Scheda dati SSM3J358R
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 1V @ 1mA
Vgs (Max) ±10V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23F Serie U-MOSVII
Rds On (max) a Id, Vgs 22.1 mOhm @ 6A, 8V Dissipazione di potenza (max) 1W (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro SOT-23-3 Flat Leads
Altri nomi SSM3J358RLFCT temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1331pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38.5nC @ 8V Tipo FET P-Channel
Caratteristica FET - Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 8V
Tensione drain-source (Vdss) 20V Descrizione dettagliata P-Channel 20V 6A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-23F
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A (Ta)

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