SSM3K106TU(TE85L)
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| Numero di parte | SSM3K106TU(TE85L) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM3K106TU(TE85L) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 20V 1.2A UFM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4061 pcs | Scheda dati | Mosfets Prod GuideSSM3K106TU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.3V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | UFM | Serie | π-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 310 mOhm @ 600mA, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 3-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi | SSM3K106TU(TE85L)TR SSM3K106TUTE85L |
temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 36pF @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 20V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 20V 1.2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.2A (Ta) |
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