SSM3J117TU,LF
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| Numero di parte | SSM3J117TU,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 3000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.04 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM3J117TU,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CHANNEL 30V 2A UFM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 520590 pcs | Scheda dati | SSM3J117TU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 2.6V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | UFM | Serie | U-MOSII |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 117 mOhm @ 1A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 3-SMD, Flat Leads |
| Altri nomi | DF5G7M2NLF(D SSM3J117TU,LF(B SSM3J117TU,LF(T SSM3J117TULFTR |
temperatura di esercizio | 150°C |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 280pF @ 15V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 10V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 30V | Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 2A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 2A (Ta) |
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