SSM3J108TU(TE85L)
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| Numero di parte | SSM3J108TU(TE85L) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM3J108TU(TE85L) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 20V 1.8A UFM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5525 pcs | Scheda dati | SSM3J108TUMosfets Prod Guide |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±8V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | UFM | Serie | U-MOSIII |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 158 mOhm @ 800mA, 4V | Dissipazione di potenza (max) | 500mW (Ta) |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | 3-SMD, Flat Leads |
| temperatura di esercizio | 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 250pF @ 10V | Tipo FET | P-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 1.8V, 4V |
| Tensione drain-source (Vdss) | 20V | Descrizione dettagliata | P-Channel 20V 1.8A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount UFM |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 1.8A (Ta) |
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