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SSM3J15CT(TPL3)

SSM3J15CT(TPL3)
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Numero di parte SSM3J15CT(TPL3)
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 775370 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs100 pcs500 pcs1000 pcs
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Numero di parte SSM3J15CT(TPL3) fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione MOSFET P-CH 30V 0.1A CST3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 775370 pcs Scheda dati SSM3J15CT
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id -
Vgs (Max) ±20V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore CST3 Serie π-MOSVI
Rds On (max) a Id, Vgs 12 Ohm @ 10mA, 4V Dissipazione di potenza (max) 100mW (Ta)
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro SC-101, SOT-883
Altri nomi SSM3J15CT(TPL3)CT
SSM3J15CTL3FCT
SSM3J15CTL3FCT-ND		 temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 9.1pF @ 3V
Tipo FET P-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4V Tensione drain-source (Vdss) 30V
Descrizione dettagliata P-Channel 30V 100mA (Ta) 100mW (Ta) Surface Mount CST3 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 100mA (Ta)

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