SSM3J15FU,LF
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| Numero di parte | SSM3J15FU,LF |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 0.1A USM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 10 pcs | 100 pcs | 500 pcs | 1000 pcs |
|---|---|---|---|---|---|
| $0.103 | $0.095 | $0.053 | $0.028 | $0.019 | |
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | SSM3J15FU,LF | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET P-CH 30V 0.1A USM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 1300539 pcs | Scheda dati | SSM3J15FU |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 1.7V @ 100µA |
| Vgs (Max) | ±20V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | USM | Serie | π-MOSVI |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 12 Ohm @ 10mA, 4V | Dissipazione di potenza (max) | 150mW (Ta) |
| imballaggio | Cut Tape (CT) | Contenitore / involucro | SC-70, SOT-323 |
| Altri nomi | SSM3J15FULFCT | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Surface Mount | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 9.1pF @ 3V |
| Tipo FET | P-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 2.5V, 4V | Tensione drain-source (Vdss) | 30V |
| Descrizione dettagliata | P-Channel 30V 100mA (Ta) 150mW (Ta) Surface Mount USM | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 100mA (Ta) |
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- Parte#:
433611-01-0 - Produttori:
Curtis Industries - Descrizione:
CONN BARRIER STRIP 1CIRCUIT - Disponibile:
58004
