RN1112(T5L,F,T)
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| Numero di parte | RN1112(T5L,F,T) |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RN1112(T5L,F,T) | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 4390 pcs | Scheda dati | RN1112,1113 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 250µA, 5mA | Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | SSM | Serie | - |
| Resistor - Base (R1) | 22 kOhms | Potenza - Max | 100mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SC-75, SOT-416 |
| Altri nomi | RN1112(T5LFT)TR RN1112T5LFT |
Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenza - transizione | 250MHz | Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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