RN1110MFV,L3F
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| Numero di parte | RN1110MFV,L3F |
|---|---|
| fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 8000 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $0.01 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | RN1110MFV,L3F | fabbricante | Toshiba Semiconductor and Storage |
|---|---|---|---|
| Descrizione | TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 2431569 pcs | Scheda dati | RN111xMFV |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Tensione - rottura collettore-emettitore (max) | 50V |
| Vce saturazione (max) a Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 5mA | Tipo transistor | NPN - Pre-Biased |
| Contenitore dispositivo fornitore | VESM | Serie | - |
| Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms | Potenza - Max | 150mW |
| imballaggio | Tape & Reel (TR) | Contenitore / involucro | SOT-723 |
| Altri nomi | RN1110MFV(TL3,T) RN1110MFV(TL3T)TR RN1110MFV(TL3T)TR-ND RN1110MFV,L3F(B RN1110MFV,L3F(T RN1110MFVL3F RN1110MFVL3F-ND RN1110MFVL3FTR RN1110MFVTL3T |
Tipo montaggio | Surface Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 16 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Descrizione dettagliata | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM |
| Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce | 120 @ 1mA, 5V | Corrente - Cutoff collettore (max) | 100nA (ICBO) |
| Corrente - collettore (Ic) (max) | 100mA |
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