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RN1111,LF(CT

RN1111,LF(CT
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Numero di parte RN1111,LF(CT
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1931690 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		1 pcs10 pcs25 pcs100 pcs
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Numero di parte RN1111,LF(CT fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 0.1W SSM Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1931690 pcs Scheda dati RN1110,11
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 250µA, 5mA Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SSM Serie -
Resistor - Base (R1) 10 kOhms Potenza - Max 100mW
imballaggio Cut Tape (CT) Contenitore / involucro SC-75, SOT-416
Altri nomi RN1111(TE85LF)CT
RN1111(TE85LF)CT-ND
RN1111LF(CTCT		 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione 250MHz Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 100mW Surface Mount SSM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 120 @ 1mA, 5V Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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