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RN1109MFV,L3F

RN1109MFV,L3F
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Numero di parte RN1109MFV,L3F
fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 4692 pcs
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Numero di parte RN1109MFV,L3F fabbricante Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione TRANS PREBIAS NPN 50V 500NA VESM Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 4692 pcs Scheda dati RN1107MFV-09MFV
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 500µA, 5mA Tipo transistor NPN - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore VESM Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 22 kOhms Resistor - Base (R1) 47 kOhms
Potenza - Max 150mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro SOT-723 Altri nomi RN1109MFVL3F
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 150mW Surface Mount VESM
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 100mA

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