STW58N60DM2AG
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| Numero di parte | STW58N60DM2AG |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 50A |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $4.103 | $3.365 | $3.036 | $2.544 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STW58N60DM2AG | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 600V 50A | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 15401 pcs | Scheda dati | STW58N60DM2AG |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 | Serie | Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 60 mOhm @ 25A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 360W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | 497-16131-5 | temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 4100pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 90nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 600V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 600V 50A (Tc) 360W (Tc) Through Hole TO-247 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 50A (Tc) |
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