STW63N65DM2
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| Numero di parte | STW63N65DM2 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET |
| Stato Lead senza piombo / RoHS |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 600 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $2.924 | |||||
- Parametro del prodotto
Product parameter
| Numero di parte | STW63N65DM2 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET | Stato Lead senza piombo / RoHS | |
| quantità disponibile | 12824 pcs | Scheda dati | |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | - |
| Vgs (Max) | - | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 | Serie | FDmesh™ II Plus |
| Rds On (max) a Id, Vgs | - | Dissipazione di potenza (max) | - |
| Contenitore / involucro | TO-247-3 | temperatura di esercizio | - |
| Tipo montaggio | Through Hole | Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 100V | Tipo FET | N-Channel |
| Caratteristica FET | - | Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Tensione drain-source (Vdss) | 650V | Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 65A Through Hole TO-247 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 65A |
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