STW56N65M2
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| Numero di parte | STW56N65M2 |
|---|---|
| fabbricante | STMicroelectronics |
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 49A TO247 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 1 pcs | 30 pcs | 120 pcs | 510 pcs | |
|---|---|---|---|---|---|
| $3.236 | $2.654 | $2.395 | $2.007 | ||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | STW56N65M2 | fabbricante | STMicroelectronics |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 650V 49A TO247 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 16035 pcs | Scheda dati | STW56N65M2 |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±25V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | TO-247 | Serie | MDmesh™ M2 |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 62 mOhm @ 24.5A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 358W (Tc) |
| imballaggio | Tube | Contenitore / involucro | TO-247-3 |
| Altri nomi | 497-15594-5 | temperatura di esercizio | 150°C (TJ) |
| Tipo montaggio | Through Hole | Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Produttore tempi di consegna standard | 42 Weeks | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3900pF @ 100V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 93nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 650V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 650V 49A (Tc) 358W (Tc) Through Hole TO-247 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 49A (Tc) |
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