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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > PDTB123TT,215

PDTB123TT,215

PDTB123TT,215
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Numero di parte PDTB123TT,215
fabbricante Nexperia
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 1047273 pcs
Prezzo di Riferimento
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Numero di parte PDTB123TT,215 fabbricante Nexperia
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 1047273 pcs Scheda dati PDTB123T Series
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23) Serie -
Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms Potenza - Max 250mW
imballaggio Tape & Reel (TR) Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi 934059729215
PDTB123TT T/R
PDTB123TT T/R-ND		 Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23) Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 100 @ 50mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA
Numero di parte base PDTB123

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