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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > PDTB123ES,126

PDTB123ES,126

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Numero di parte PDTB123ES,126
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 6015 pcs
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Numero di parte PDTB123ES,126 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 500MW TO92-3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 6015 pcs Scheda dati PDTB123E Series
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3 Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 500mW imballaggio Tape & Box (TB)
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) Altri nomi 934059142126
PDTB123ES AMO
PDTB123ES AMO-ND
Tipo montaggio Through Hole Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA Numero di parte base PDTB123

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