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PDTB123ET,215

PDTB123ET,215
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Numero di parte PDTB123ET,215
fabbricante Nexperia
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 2020310 pcs
Prezzo di Riferimento
(in dollari USA)		3000 pcs6000 pcs15000 pcs
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30000 pcs75000 pcs150000 pcs
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Numero di parte PDTB123ET,215 fabbricante Nexperia
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 250MW TO236AB Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 2020310 pcs Scheda dati PDTB123E SeriesPDTB123ET
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore TO-236AB (SOT23) Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 250mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Altri nomi 1727-1702-2
568-11242-2
568-11242-2-ND
934058976215
PDTB123ET T/R
PDTB123ET T/R-ND
PDTB123ET,215-ND
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount TO-236AB (SOT23)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V Corrente - Cutoff collettore (max) 100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA Numero di parte base PDTB123

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