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Casa > Centro di prodotti > Prodotti a semiconduttore discreti > Transistor-bipolare (BJT)-singolo, pre-polarizzato > PDTB123EK,115

PDTB123EK,115

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Numero di parte PDTB123EK,115
fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 5186 pcs
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Numero di parte PDTB123EK,115 fabbricante NXP Semiconductors / Freescale
Descrizione TRANS PREBIAS PNP 250MW SMT3 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 5186 pcs Scheda dati PDTB123E Series
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 50V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 300mV @ 2.5mA, 50mA Tipo transistor PNP - Pre-Biased
Contenitore dispositivo fornitore SMT3; MPAK Serie -
Resistor - Emitter Base (R2) 2.2 kOhms Resistor - Base (R1) 2.2 kOhms
Potenza - Max 250mW imballaggio Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Altri nomi 934058966115
PDTB123EK T/R
PDTB123EK T/R-ND
Tipo montaggio Surface Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant Descrizione dettagliata Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 50V 500mA 250mW Surface Mount SMT3; MPAK
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 40 @ 50mA, 5V Corrente - Cutoff collettore (max) 500nA
Corrente - collettore (Ic) (max) 500mA Numero di parte base PDTB123

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