APTM120U10DAG
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| Numero di parte | APTM120U10DAG |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | Get a quote | ||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APTM120U10DAG | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5895 pcs | Scheda dati | APTM120U10DAGPower Products Catalog |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 20mA |
| Vgs (Max) | ±30V | Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP6 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 120 mOhm @ 58A, 10V | Dissipazione di potenza (max) | 3290W (Tc) |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SP6 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 28900pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 1100nC @ 10V |
| Tipo FET | N-Channel | Caratteristica FET | - |
| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) | 10V | Tensione drain-source (Vdss) | 1200V |
| Descrizione dettagliata | N-Channel 1200V 160A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 160A (Tc) |
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