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APTM120U10SAG

APTM120U10SAG
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Numero di parte APTM120U10SAG
fabbricante Microsemi
Descrizione MOSFET N-CH 1200V 116A SP6
Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
In Stock 563 pcs
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Numero di parte APTM120U10SAG fabbricante Microsemi
Descrizione MOSFET N-CH 1200V 116A SP6 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS conforme
quantità disponibile 563 pcs Scheda dati Power Products CatalogAPTM120U10SAG
Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Vgs (th) (max) a Id 5V @ 20mA
Vgs (Max) ±30V Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore SP6 Serie -
Rds On (max) a Id, Vgs 120 mOhm @ 58A, 10V Dissipazione di potenza (max) 3290W (Tc)
imballaggio Bulk Contenitore / involucro SP6
Altri nomi APTM120U10SAGMI
APTM120U10SAGMI-ND
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Chassis Mount Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited)
Produttore tempi di consegna standard 32 Weeks Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 28900pF @ 25V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 1100nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V Tensione drain-source (Vdss) 1200V
Descrizione dettagliata N-Channel 1200V 116A (Tc) 3290W (Tc) Chassis Mount SP6 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 116A (Tc)

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