APTM120H140FT1G
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| Numero di parte | APTM120H140FT1G |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| Prezzo di Riferimento (in dollari USA) | 100 pcs | ||||
|---|---|---|---|---|---|
| $14.45 | |||||
- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APTM120H140FT1G | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 1200V 8A SP1 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 2679 pcs | Scheda dati | Power Products CatalogAPTM120H140FT1G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 1mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP1 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 1.68 Ohm @ 7A, 10V | Potenza - Max | 208W |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SP1 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Produttore tempi di consegna standard | 32 Weeks |
| Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 3812pF @ 25V |
| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 145nC @ 10V | Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard | Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) |
| Descrizione dettagliata | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 8A 208W Chassis Mount SP1 | Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 8A |
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