APTM120H57FT3G
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| Numero di parte | APTM120H57FT3G |
|---|---|
| fabbricante | Microsemi |
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 |
| Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
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- Parametro del prodotto
- Scheda dati
Product parameter
| Numero di parte | APTM120H57FT3G | fabbricante | Microsemi |
|---|---|---|---|
| Descrizione | MOSFET 4N-CH 1200V 17A SP3 | Stato Lead senza piombo / RoHS | Senza piombo / RoHS conforme |
| quantità disponibile | 5327 pcs | Scheda dati | Power Products CatalogAPTM120H57FT3G |
| Categoria | Prodotti a semiconduttore discreti | Vgs (th) (max) a Id | 5V @ 2.5mA |
| Contenitore dispositivo fornitore | SP3 | Serie | - |
| Rds On (max) a Id, Vgs | 684 mOhm @ 8.5A, 10V | Potenza - Max | 390W |
| imballaggio | Bulk | Contenitore / involucro | SP3 |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) | Tipo montaggio | Chassis Mount |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) | Stato senza piombo / Stato RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 5155pF @ 25V | Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs | 187nC @ 10V |
| Tipo FET | 4 N-Channel (H-Bridge) | Caratteristica FET | Standard |
| Tensione drain-source (Vdss) | 1200V (1.2kV) | Descrizione dettagliata | Mosfet Array 4 N-Channel (H-Bridge) 1200V (1.2kV) 17A 390W Chassis Mount SP3 |
| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C | 17A |
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